日前，SanDisk与东芝在国际固态电路会议（ISSCC）上宣布合作量产“全球首个高效能4-bits-per-cell（X4）”闪存芯片。这种闪存芯片采用了43纳米工艺，SanDisk与东芝会利用这种闪存芯片合作研发单颗64Gbit（8GB）的闪存，而这也将成为业界容量和密度最高的闪存单颗粒。据了解，这种X4闪存芯片在性能上可媲美现有的多层闪存芯片，数据写入速度可达到7.8MB/s。小熊在线www.beareyes.com.cn
43纳米X4闪存芯片采用了SanDisk的专利All-Bit-Line（ABL）架构、新近问世的三步程序（Three-step-programming，TSP）以及顺序意式概念（Sequential sense concept，SSC），这种芯片完全可以满足用户的高性能需求。SanDisk透露将于今年上半年开始正式量产这种闪存芯片。小熊在线www.beareyes.com.cn
SanDisk内存科技及产品研发高级副总裁Khandker Quader表示，X4闪存与控制技术的研发是闪存领域发展的一个里程碑，64Gb X4闪存芯片也是大量创新科技的成果，以后在诸如音乐和电影产业、GPS、游戏等更多领域都能运用上这种高密度、高容量闪存技术。小熊在线www.beareyes.com.cn
